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简介—— 镀膜①沉积钛底层真空度:通入高纯氩气,真空度保持在5 x 10-2pa。电弧电流:50~70a,引燃全部弧源,时间为2~

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镀膜

①沉积钛底层

真空度:通入高纯氩气,真空度保持在5 x 10-2pa。电弧电流:50~70a,引燃全部弧源,时间为2~3min。偏压:400~500v。

②沉积tin膜

真空度:通入高纯氮气,真空度保持在s x lo-1pa。偏压:100~200vo电弧电流:60~80a。沉积时间:10~20min,膜层厚度0.1~0.5μm。

③掺金镀

真空度:通入高纯氮气,真空度保持在5 x 10-2pa。偏压:100~150v。电弧电流:60a(真空镀膜室上、中、下各点燃1个源)。磁控溅射金靶电压:400—500v,电流3~5a;时间:1min。

④镀金

真空度:通入氩气,真空度保持在3 x 10-1pa。偏压:100~150v。溅射靶电压:400~550v。时间:5-10min。

⑤沉积si02

真空度:通入高纯氩气,真空度8 x 10-2pa或5x 10-1pa。中频(射频)电源功率:200~500w。时间:10~20min。

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